功能描述：MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.7V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：12nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：435pF @ 30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.65W（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：56 毫欧 @ 10A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：6-DFN2020MD（2x2）

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

标准包装：1

PMPB85ENEAX

PMPB95ENEAX

PMPF0100NPEP

PMQQ

PMR100HZPFU7L00

PMR18EZPJU10L

PMR205AC6470M047R30

PMR209MB5470M047R30

PMR209MC6100M047R30

PMR209MC6100M100R30